IT之家12月1日消息，韩媒ELEC上周（11月27日）报道称，三星电子将在明年2月的国际固态电路会议（ISSCC）上展示HBM4。据报道，三星此次计划推出的HBM4容量为36GB，带宽为3.3TB/s。与上个月推出的36GB和24TB/s HBM4相比，带宽进一步提升。三星还通过堆叠结构和重新设计的界面提高了速度和能源效率。一位业内人士解释道：“三星在每个通道中应用了硅通（TSV）信号对准路径（TDQS）自动校准技术，以提高高速范围内的信号精度，并针对AI大型模型等高流量场景进行优化。”值得注意的是，三星的竞争对手SK海力士也将于明年2月透露下一代存储技术。单针速度14.4GB/s的LPDDR6内存也有望编辑将被呈现。它配备了基于低压稳压器（IT之家注：LDO）的WCK时钟分配架构，可以在超高速下保持信号稳定性，并且比上一代更高。此外，SK海力士还将展示单针速度为24GB的显存。最大的特点是读写操作可以同时进行，将于明年2月15日至2月19日在美国旧金山举行。与会者大多是企业研究人员，因此预计大量接近量产的新技术将在会议上首次亮相。 特别声明：以上内容（如有则包括照片或视频）由自媒体平台“网易号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。 注：以上内容（如有，包括图片、视频）由网易HAO用户上传发布，h是一个社交媒体平台，仅提供信息存储服务。